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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSQD50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix
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SQD50N06-09L_GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SQD50N06-09L_GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SQD50N06-09L_GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
SQD50N06-09L_GE3.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 17153

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मात्रा

विशेष विवरण

SQD50N06-09L_GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SQD50N06-09L_GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SQD50N06-09L_GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 136W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3065 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 72 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SQD50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SQD50N06-09L_GE3 SQD50P03-07_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3
भाग संख्या SQD50N06-09L_GE3 SQD50P03-07_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 30 V 40 V 100 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
आधार उत्पाद संख्या SQD50 SQD50 SQD50 SQD50
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला TrenchFET® - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V 8.9mOhm @ 15A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 72 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 136W (Tc) 136W (Tc) 71W (Tc) 136W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3065 pF @ 25 V 5490 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA

SQD50N06-09L_GE3 डेटशीट पीडीएफ

SQD50N06-09L_GE3 - Vishay Siliconix के लिए SQD50N06-09L_GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

PCN भाग संख्या
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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