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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSQD50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix
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SQD50P04-09L_GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SQD50P04-09L_GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SQD50P04-09L_GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
SQD50P04-09L.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 20900

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मात्रा

विशेष विवरण

SQD50P04-09L_GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SQD50P04-09L_GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SQD50P04-09L_GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.4mOhm @ 17A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 136W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6675 pF @ 20 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 155 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SQD50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SQD50P04-09L_GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-13L_T4GE3 SQD50P03-07_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3
भाग संख्या SQD50P04-09L_GE3 SQD50P04-13L_T4GE3 SQD50P03-07_GE3 SQD50N10-8M9L_GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 136W (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET फ़ीचर - - - -
आधार उत्पाद संख्या SQD50 - SQD50 SQD50
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6675 pF @ 20 V 3590 pF @ 25 V 5490 pF @ 25 V 2950 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 155 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9.4mOhm @ 17A, 10V 13mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 8.9mOhm @ 15A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V 40 V 30 V 100 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला TrenchFET® - - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

SQD50P04-09L_GE3 डेटशीट पीडीएफ

SQD50P04-09L_GE3 - Vishay Siliconix के लिए SQD50P04-09L_GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SQD50P04-09L.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014.pdf
PCN भाग संख्या
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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