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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix
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SQM100N10-10_GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SQM100N10-10_GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SQM100N10-10_GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
SQM100N10-10.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 15310

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मात्रा

विशेष विवरण

SQM100N10-10_GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SQM100N10-10_GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SQM100N10-10_GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-263 (D²Pak)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10.5mOhm @ 30A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 8050 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 185 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SQM100  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SQM100N10-10_GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SQM100N10-10_GE3 SQM100P10-19L_GE3 SQM10250E_GE3 SQM110P04-04L-GE3
भाग संख्या SQM100N10-10_GE3 SQM100P10-19L_GE3 SQM10250E_GE3 SQM110P04-04L-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
आधार उत्पाद संख्या SQM100 SQM100 SQM10250 SQM110P
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
शृंखला Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET®
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 250 V 40 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 185 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10.5mOhm @ 30A, 10V 19mOhm @ 30A, 10V 30mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc) 93A (Tc) 65A (Tc) 120A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 8050 pF @ 25 V 14100 pF @ 25 V 4050 pF @ 25 V 13980 pF @ 20 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SQM100N10-10_GE3 डेटशीट पीडीएफ

SQM100N10-10_GE3 - Vishay Siliconix के लिए SQM100N10-10_GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SQM100N10-10.pdf
PCN भाग संख्या
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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