BSS138LT1G एक एन-चैनल पावर MOSFET है जो उन उपकरणों में बिजली प्रबंधन के लिए डिज़ाइन किया गया है जो कम वोल्टेज पर भरोसा करते हैं।इसका उपयोग अक्सर कंप्यूटर, प्रिंटर और मोबाइल डिवाइस जैसे सेल फोन और कॉर्डलेस फोन में पाए जाने वाले डीसी-टू-डीसी कन्वर्टर्स जैसे अनुप्रयोगों में किया जाता है।इस MOSFET को अलग करने की क्षमता कम वोल्टेज स्तरों पर कुशलता से संचालित करने की क्षमता है, जो इसे पोर्टेबल और बैटरी-संचालित उपकरणों के लिए एक महान फिट बनाता है।कॉम्पैक्ट SOT of23 सरफेस-माउंट पैकेज इसे सर्किट बोर्डों पर आसानी से फिट करने की अनुमति देता है, जो अंतरिक्ष-विवश डिजाइनों में सहायक होता है।यह इसे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए अच्छी तरह से अनुकूल बनाता है जहां बिजली दक्षता और आकार का मामला है।
BSS138LT1G एक कम दहलीज वोल्टेज के साथ संचालित होता है, जो 0.5V से 1.5V तक होता है।इसका मतलब यह है कि यह कम-शक्ति स्थितियों में कुशलता से चालू और कार्य कर सकता है, जिससे यह उन उपकरणों के लिए एक अच्छा फिट हो जाता है, जिन्हें संचालित करने के लिए बहुत अधिक ऊर्जा की आवश्यकता नहीं होती है।
इसका छोटा SOT-23 सरफेस-माउंट पैकेज सर्किट बोर्ड पर जगह बचाने में मदद करता है।आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को डिजाइन करते समय यह कॉम्पैक्ट आकार सहायक होता है जहां अंतरिक्ष अक्सर सीमित होता है, यह सुनिश्चित करता है कि सब कुछ बहुत अधिक कमरे के बिना बड़े करीने से फिट हो।
BSS138LT1G AEC-Q101 योग्य है, जिसका अर्थ है कि यह मोटर वाहन और अन्य मांग वाले अनुप्रयोगों में विश्वसनीय उपयोग के लिए बनाया गया है।यह कठिन वातावरण को संभाल सकता है जहां चिकनी संचालन के लिए दीर्घकालिक स्थायित्व की आवश्यकता होती है।
BSS138LT1G ROHS मानकों को पूरा करता है, जो कुछ खतरनाक सामग्रियों के उपयोग को प्रतिबंधित करता है।यह पीबी-मुक्त और हलोजन-मुक्त भी है, जो इसे पर्यावरण के अनुकूल विकल्प बनाता है, पर्यावरण के प्रति सचेत विनिर्माण प्रयासों के साथ संरेखित करता है।
तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और सेमीकंडक्टर BSS138LT1G से संबंधित तुलनीय भाग।
प्रकार | पैरामीटर |
जीवनचक्र स्थिति | |
फैक्टरी लीड टाइम | 14 सप्ताह |
संपर्क चढ़ाना | टिन |
माउन्टिंग का प्रकार | सतह पर्वत |
पैकेज / मामला | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
सतह पर्वत | हाँ |
पिन की संख्या | 3 |
ट्रांजिस्टर तत्व सामग्री | सिलिकॉन |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 ℃ | 200ma TA |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर) | 5V |
तत्वों की संख्या | 1 |
शक्ति अपव्यय | 225MW टा |
देरी का समय बंद करें | 20 एनएस |
परिचालन तापमान | -55 ° C ~ 150 ° C TJ |
पैकेजिंग | कट टेप (सीटी) |
प्रकाशित | 2005 |
JESD-609 कोड | ई 3 |
Pbfree कोड | हाँ |
भाग की स्थिति | सक्रिय |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (असीमित) |
समाप्ति की संख्या | 3 |
ईसीसीएन कोड | Ear99 |
प्रतिरोध | 3.5 ओम |
वोल्टेज - रेटेड डीसी | 50 वी |
टर्मिनल स्थिति | दोहरी |
टर्मिनल रूप | गूल विंग |
पीक रिफ्लो तापमान (CEL) | 260 डिग्री सेल्सियस |
वर्तमान रेटिंग | 200MA |
समय @ पीक रिफ्लो तापमान (अधिकतम) | 40 |
पिन काउंट | 3 |
तत्व विन्यास | अकेला |
संचालन विधा | संवर्धन विधा |
शक्ति का अपव्यय | 225MW |
देरी का समय चालू करें | 20 एनएस |
भ्रूण प्रकार | n- चैनल |
ट्रांजिस्टर आवेदन | स्विचन |
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 3.5, @ 200mA, 5V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ id | 1.5V @ 1MA |
हैलोजन मुक्त | हैलोजन मुक्त |
इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds | 50pf @ 25v |
वीजीएस (अधिकतम) | ± 20 वी |
निरंतर नाली वर्तमान (आईडी) | 200MA |
थ्रेसहोल्ड वोल्टेज | 1.5V |
स्रोत वोल्टेज (वीजीएस) का द्वार | 20 वी |
नाली वर्तमान-मैक्स (एबीएस) (आईडी) | 0.2 ए |
स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज के लिए नाली | 50 वी |
नाममात्र वीजीएस | 1.5V |
प्रतिक्रिया कैप-मैक्स (CRSS) | 5pf |
ऊंचाई | 1.01 मिमी |
लंबाई | 3.04 मिमी |
चौड़ाई | 1.4 मिमी |
SVHC तक पहुँचें | कोई एसवीएचसी नहीं |
विकिरण कठोरता | नहीं |
रोह्स स्टेटस | ROHS3 आज्ञाकारी |
भाग संख्या | विवरण | उत्पादक |
BSS138L9Z | 220ma, 50v, n-channel, Si, छोटा सिग्नल, MOSFET, TO-236AB | टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स |
BSS138-7-F | छोटे सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.2a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, प्लास्टिक पैकेज -3 | एसपीसी मल्टीकोम्प |
UBSS138TA | छोटे सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.2a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, SOT-23, 3 पिन | ज़ेटेक्स / डायोड इंक |
BSS138T/R13 | स्मॉल सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.3a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, ROHS कॉम्पिटेंट पैकेज -3 | पंजित अर्धचालक |
BSS138NL6327 | स्मॉल सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.23a (आईडी), 60V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, ROHS Compliant, प्लास्टिक पैकेज -3 | इंफीनन टेक्नोलॉजीज एजी |
BSS138E6327 | छोटे सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.23a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, SOT-23, 3 पिन | इंफीनन टेक्नोलॉजीज एजी |
BSS138-TP | छोटे सिग्नल फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.22A (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET | सूक्ष्म वाणिज्यिक घटक |
BSS138NH6433 | स्मॉल सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.23a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, GREEN, प्लास्टिक पैकेज -3 | इंफीनन टेक्नोलॉजीज एजी |
BSS138NH6433 | छोटे सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.23a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, SOT-23, 3 पिन | इंफीनन टेक्नोलॉजीज एजी |
UBSS138 | छोटे सिग्नल फ़ील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, 0.2a (आईडी), 50V, 1-एलिमेंट, एन-चैनल, सिलिकॉन, मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर FET, SOT-23, 3 पिन | डायोड शामिल |
इस MOSFET का उपयोग अक्सर DC-DC कन्वर्टर्स में किया जाता है, जो कंप्यूटर और मोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे उपकरणों में वोल्टेज परिवर्तन को प्रबंधित करने में मदद करता है।यह सुनिश्चित करता है कि विभिन्न घटकों को सही वोल्टेज का स्तर प्रदान किया जाता है, जिससे डिवाइस को कुशलता से चलाने में मदद मिलती है।
BSS138LT1G का उपयोग प्रिंटर में बिजली वितरण का प्रबंधन करने के लिए किया जाता है, यह सुनिश्चित करने के लिए कि घटकों को ऊर्जा अपशिष्ट और ओवरहीटिंग को रोकने के दौरान सही मात्रा में बिजली मिलती है।यह समय के साथ प्रिंटर को सुचारू रूप से चलाने में मदद करता है।
PCMCIA कार्ड में, BSS138LT1G बिजली के उपयोग को नियंत्रित करने में मदद करता है।इन कार्डों का उपयोग लैपटॉप और अन्य उपकरणों में कार्यों को जोड़ने के लिए किया जाता है, और यह MOSFET उनके कुशल संचालन का समर्थन करता है, जिससे उन्हें बहुत अधिक ऊर्जा का उपयोग किए बिना प्रभावी ढंग से काम करने में मदद मिलती है।
BSS138LT1G अक्सर बैटरी, जैसे कंप्यूटर, सेल फोन और कॉर्डलेस फोन जैसे उपकरणों में पाया जाता है।यह बिजली की खपत को प्रबंधित करने में मदद करता है, यह सुनिश्चित करता है कि डिवाइस कुशलता से चलता है और बैटरी जीवन का विस्तार करता है, जिससे चार्ज के बीच लंबे समय तक उपयोग होता है।
मंद | (मिनट) | मिलीमीटर (नाम) | (अधिकतम) | इंच (मिनट) | इंच (नाम) | इंच (अधिकतम) |
ए | 0.89 | 1 | 1.11 | 0.035 | 0.039 | 0.044 |
ए 1 | 0.01 | 0.06 | 0.1 | 0 | 0.002 | 0.004 |
बी | 0.37 | 0.44 | 0.5 | 0.015 | 0.017 | 0.02 |
सी | 0.08 | 0.14 | 0.2 | 0.003 | 0.006 | 0.008 |
डी | 2.8 | 2.9 | 3.04 | 0.11 | 0.114 | 0.12 |
ईटी | 1.2 | 1.3 | 1.4 | 0.047 | 0.051 | 0.055 |
ई 1 | 2.9 | 3 | 3.1 | 0.114 | 0.118 | 0.122 |
एल | 1.78 | 1.9 | 2.04 | 0.07 | 0.075 | 0.08 |
एल 1 | 0.35 | 0.54 | 0.69 | 0.014 | 0.021 | 0.027 |
वह | 2.1 | २.४ | 2.64 | 0.083 | 0.094 | 0.104 |
टी | 0 ° | ---- | 10 ° | 0 ° | ---- | 10 ° |
अर्धचालक पर उन उत्पादों को विकसित करने के लिए जाना जाता है जो कंपनियों को कई उद्योगों में ऊर्जा उपयोग को कम करने में मदद करते हैं।वे बिजली प्रबंधन और सिग्नल समाधान प्रदान करते हैं जो मोटर वाहन, संचार, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और एलईडी प्रकाश जैसे क्षेत्रों में पाए जा सकते हैं।सेमीकंडक्टर पर विभिन्न प्रकार के उत्पादों की पेशकश करके इंजीनियरों और डिजाइनरों का समर्थन करता है जो इन क्षेत्रों में विशिष्ट डिजाइन चुनौतियों को हल करने में मदद करते हैं।दुनिया भर में प्रमुख बाजारों में उपस्थिति के साथ, वे एक मजबूत आपूर्ति श्रृंखला बनाए रखते हैं और विश्वसनीय ग्राहक सेवा प्रदान करते हैं।उनकी विनिर्माण सुविधाएं और डिजाइन केंद्र रणनीतिक रूप से यह सुनिश्चित करने के लिए हैं कि वे विश्व स्तर पर ग्राहकों की जरूरतों को पूरा कर सकते हैं, जबकि ऊर्जा-बचत प्रौद्योगिकियों में नवाचारों को जारी रखते हैं।
BSS138LT1G एक एन-चैनल पावर MOSFET है जिसका उपयोग आमतौर पर कंप्यूटर, प्रिंटर, PCMCIA कार्ड, साथ ही सेलुलर और कॉर्डलेस फोन जैसे उपकरणों में DC-TO-DC कन्वर्टर्स और पावर मैनेजमेंट सिस्टम में किया जाता है।
BSS138LT1G में 0.5V से 1.5V की दहलीज वोल्टेज रेंज है, जो कम-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए अच्छी तरह से अनुकूल है।
कृपया एक जांच भेजें, हम तुरंत जवाब देंगे।
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