STP55NF06 एक अत्यधिक सक्षम एन-चैनल MOSFET है, जो काफी वर्तमान प्रवाह को संभालने और स्विफ्ट स्विचिंग क्रियाओं को सक्षम करने के लिए उल्लेखनीय है।यह कम ऑन-प्रतिरोध के कारण प्रभावशाली दक्षता को प्रदर्शित करता है।डिवाइस 10V के गेट वोल्टेज के साथ चालन शुरू करता है और 20V पर अधिकतम दक्षता तक पहुंचता है, इसे उच्च-शक्ति भार के संचालन के लिए एक मजबूत उम्मीदवार के रूप में स्थिति में रखता है।4V की इसकी गेट दहलीज यह सुनिश्चित करती है कि यह माइक्रोकंट्रोलर्स के साथ अच्छी तरह से काम करता है, फिर भी यह 10V पर अपना सर्वश्रेष्ठ प्राप्त करता है, जो 27A तक निरंतर वर्तमान का समर्थन करता है।माइक्रोकंट्रोलर्स के साथ सुचारू रूप से एकीकृत करने के लिए, ड्राइवर सर्किट या लॉजिक-लेवल MOSFET की भागीदारी, जैसे कि 2N7002, की सलाह दी जाती है।डिवाइस की सराहनीय आवृत्ति प्रतिक्रिया इसे डीसी-डीसी कन्वर्टर्स के लिए उपयुक्त बनाती है।
STP55NF06 जैसे MOSFETs से जुड़े अनुप्रयोगों में, अनजाने ट्रिगर से बचने के लिए गेट को सही ढंग से ग्राउंड करने की आवश्यकता होती है।चूंकि MOSFETS वोल्टेज के आधार पर सक्रिय और निष्क्रिय कर देता है, इसलिए वोल्टेज प्रबंधन में महारत हासिल होती है।आप अक्सर जेनर डायोड जैसे अतिरिक्त सुरक्षात्मक उपायों को शामिल कर सकते हैं ताकि गेट वोल्टेज और वोल्टेज सर्ज के खिलाफ ढाल को स्थिर किया जा सके।
माइक्रोकंट्रोलर्स के साथ सफलतापूर्वक एकीकृत करने के लिए ड्राइवर सर्किट की रणनीतिक तैनाती की आवश्यकता होती है।ये सर्किट माइक्रोकंट्रोलर के आउटपुट वोल्टेज और MOSFET के गेट की मांगों के बीच के अंतर को संबोधित करते हैं।एक सामान्य दृष्टिकोण इस अंतर को पाटने के लिए एक स्तर-शिफ्टिंग ड्राइवर को नियुक्त करता है, जिससे घटकों के बीच सहज बातचीत सुनिश्चित होती है।
विशेषता |
विनिर्देश |
मोसफेट प्रकार |
n- चैनल |
निरंतर नाली वर्तमान (आईडी) |
35 ए |
स्पंदित नाली वर्तमान (आईडी-पीक) |
50 ए |
स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज (वीडीएस) के लिए नाली |
60V |
नाली स्रोत प्रतिरोध (आरडीएस) |
0.018 ω |
गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (वीजीएस-टीएच) |
20 वी (अधिकतम) |
वृद्धि समय |
50 एनएस |
गिरावट का समय |
15 एनएस |
इनपुट कैपेसिटेंस |
1300 पीएफ |
आउटपुट कैपेसिटेंस |
300 पीएफ |
पैकेज प्रकार |
को-220 |
आधुनिक वाहनों में इलेक्ट्रिक पावर स्टीयरिंग सिस्टम ड्राइविंग में सटीक और आराम दोनों को बढ़ाते हैं।STP55NF06 MOSFET बिजली के उपयोग और प्रतिक्रिया समय के अनुकूलन में एक उल्लेखनीय भूमिका निभाता है, जिससे इन संवर्द्धन में योगदान होता है।ड्राइवर अक्सर ईंधन की खपत में एक मूर्त कमी की रिपोर्ट करते हैं, क्योंकि ईपीएस सिस्टम चुनिंदा रूप से बिजली आकर्षित करते हैं, वाहन दक्षता को काफी प्रभावित करते हैं।
ABS के भीतर, STP55NF06 स्विफ्ट और कुशल स्विचिंग प्रदान करता है, जिसका उपयोग इष्टतम ब्रेकिंग नियंत्रण के लिए किया जाता है।इसकी उच्च तापमान लचीलापन और तेजी से स्विचिंग क्षमताएं आपात स्थितियों में विशेष रूप से फायदेमंद हैं।परीक्षण लगातार पहिया लॉक-अप को रोककर बेहतर सुरक्षा का प्रदर्शन करते हैं, इसकी प्रभावशीलता की पुष्टि करते हैं।
वाइपर कंट्रोल सिस्टम में, STP55NF06 विभिन्न मौसम स्थितियों में सटीक और विश्वसनीय संचालन के लिए बुनियादी है।न्यूनतम बिजली हानि के साथ चर भार को संभालने की इसकी क्षमता कुशल विंडशील्ड क्लीयरिंग सुनिश्चित करती है।विविध जलवायु में व्यापक परीक्षण दृश्यता और चालक सुरक्षा को बढ़ाने में अपनी प्रभावकारिता साबित होता है।
STP55NF06 असाधारण दक्षता के साथ जलवायु नियंत्रण प्रणालियों में मोटर्स और कंप्रेशर्स को ड्राइव करता है, जिससे वाहनों के भीतर सटीक तापमान प्रबंधन की अनुमति मिलती है।इस MOSFET की ऊर्जा-बचत क्षमताएं समग्र वाहन बिजली की खपत को कम करती हैं।व्यावहारिक अनुप्रयोग बैटरी जीवन को लम्बा करने के दौरान आराम बनाए रखने में अपनी भूमिका दिखाते हैं।
पावर डोर सिस्टम चिकनी और विश्वसनीय संचालन के लिए STP55NF06 के लगातार प्रदर्शन का लाभ उठाते हैं।बार -बार चक्रों में MOSFET का स्थायित्व दीर्घायु सुनिश्चित करता है और रखरखाव को कम करता है।फील्ड फीडबैक कम विफलताओं पर प्रकाश डालता है, जिससे अधिक उपभोक्ता संतुष्टि और स्वचालित दरवाजों में विश्वास होता है।
STP55NF06 MOSFET मामूली वोल्टेज मांगों के साथ कुशलतापूर्वक कार्य करता है, 4V के आसपास ऑपरेशन शुरू करता है।यह सुविधा कम वोल्टेज की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के साथ अच्छी तरह से संरेखित करती है।जब वीसीसी से जुड़ा होता है, तो गेट चालन का संकेत देता है;यह ग्राउंडिंग करंट को रोक देता है।यदि गेट वोल्टेज 4V से नीचे आता है, तो चालन बंद हो जाता है।एक पुल-डाउन रोकनेवाला, आमतौर पर 10k के पास, यह सुनिश्चित करता है कि गेट निष्क्रिय होने पर, विश्वसनीयता को बढ़ाने पर गेट ग्राउंडेड बना रहे।
व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, स्थिर गेट वोल्टेज प्रबंधन प्रदर्शन के लिए प्रभावशाली के रूप में उभरता है।सटीकता की मांग करने वाले परिदृश्यों में, प्रतिक्रिया तंत्र को एकीकृत करना संचालन को परिष्कृत कर सकता है, जिससे सिस्टम उतार -चढ़ाव वाली स्थितियों के बीच वांछित कार्यक्षमता को बनाए रखने की अनुमति देता है।
MOSFET को व्यस्त रखने के लिए, गेट आपूर्ति वोल्टेज से जुड़ता है।यदि वोल्टेज 4V से नीचे फिसल जाता है, तो डिवाइस चालन को रोकने के लिए ओमिक क्षेत्र में प्रवेश करता है।एक पुल-डाउन रोकनेवाला, जैसे कि 10k रोकनेवाला, सक्रिय नहीं होने पर गेट को जमीन पर रखकर सर्किट को स्थिर करता है, अचानक वोल्टेज परिवर्तनों से अनपेक्षित सक्रियण के जोखिमों को कम करता है।
प्रकार |
पैरामीटर |
जीवनचक्र स्थिति |
सक्रिय (अंतिम अद्यतन: 8 महीने पहले) |
फैक्टरी लीड टाइम |
12 सप्ताह |
पर्वत |
होल के माध्यम से |
माउन्टिंग का प्रकार |
होल के माध्यम से |
पैकेज / मामला |
To-220-3 |
पिन की संख्या |
3 |
वज़न |
4.535924G |
ट्रांजिस्टर तत्व सामग्री |
सिलिकॉन |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 ℃ |
50 ए टीसी |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी पर) |
10V |
तत्वों की संख्या |
1 |
शक्ति अपव्यय |
110W टीसी |
देरी का समय बंद करें |
36 एनएस |
परिचालन तापमान |
-55 ° C ~ 175 ° C TJ |
पैकेजिंग |
नली |
शृंखला |
स्ट्रिपफेट ™ II |
JESD-609 कोड |
ई 3 |
भाग की स्थिति |
सक्रिय |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) |
1 (असीमित) |
समाप्ति की संख्या |
3 |
ईसीसीएन कोड |
Ear99 |
प्रतिरोध |
18MOHM |
टर्मिनल खत्म |
मैट टिन (एसएन) |
वोल्टेज - रेटेड डीसी |
60V |
वर्तमान रेटिंग |
50 ए |
आधार भाग संख्या |
STP55N |
पिन काउंट |
3 |
तत्व विन्यास |
अकेला |
संचालन विधा |
संवर्धन विधा |
शक्ति का अपव्यय |
30W |
देरी का समय चालू करें |
20 एनएस |
भ्रूण प्रकार |
n- चैनल |
ट्रांजिस्टर आवेदन |
स्विचन |
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस |
18m ω @ 27.5a, 10v |
Vgs (th) (अधिकतम) @ id |
4V @ 250μA |
इनपुट कैपेसिटेंस (CISS) (अधिकतम) @ vds |
1300pf @ 25v |
गेट चार्ज (QG) (अधिकतम) @ vgs |
60NC @ 10V |
वृद्धि समय |
50NS |
वीजीएस (अधिकतम) |
± 20 वी |
समय (टाइप) |
15 एनएस |
निरंतर नाली वर्तमान (आईडी) |
50 ए |
थ्रेसहोल्ड वोल्टेज |
3 वी |
JEDEC-95 कोड |
टू-220AB |
स्रोत वोल्टेज (वीजीएस) का द्वार |
20 वी |
नाली वर्तमान-मैक्स (एबीएस) (आईडी) |
55 ए |
स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज के लिए नाली |
60V |
स्पंदित नाली वर्तमान-मैक्स (आईडीएम) |
200A |
दोहरी आपूर्ति वोल्टेज |
60V |
नाममात्र वीजीएस |
3 वी |
ऊंचाई |
9.15 मिमी |
लंबाई |
10.4 मिमी |
चौड़ाई |
4.6 मिमी |
SVHC तक पहुँचें |
कोई एसवीएचसी नहीं |
विकिरण कठोरता |
नहीं |
रोह्स स्टेटस |
ROHS3 आज्ञाकारी |
सीसा मुक्त |
सीसा मुक्त |
भाग संख्या |
उत्पादक |
पर्वत |
पैकेज / मामला |
निरंतर नाली धारा
(पहचान) |
वर्तमान - निरंतर नाली
(आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस |
थ्रेसहोल्ड वोल्टेज |
स्रोत वोल्टेज (वीजीएस) का द्वार |
शक्ति का अपव्यय |
शक्ति अपव्यय-मैक्स |
STP55NF06 |
स्टिमिकोइलेक्ट्रॉनिक्स |
होल के माध्यम से |
To-220-3 |
50 ए |
50 ए (टीसी) |
3 वी |
20 वी |
30 डब्ल्यू |
110W (टीसी) |
STP65NF06 |
स्टिमिकोइलेक्ट्रॉनिक्स |
होल के माध्यम से |
To-220-3 |
60 |
60 ए (टीसी) |
1 वी |
15 वी |
110 डब्ल्यू |
110W (टीसी)
|
STP60NF06L |
स्टिमिकोइलेक्ट्रॉनिक्स |
होल के माध्यम से |
To-220-3 |
55 ए |
55 ए (टीसी) |
2 वी |
25 वी |
114 डब्ल्यू |
114W (टीसी) |
STP60NF06 |
स्टिमिकोइलेक्ट्रॉनिक्स |
होल के माध्यम से |
To-220-3 |
60 |
60 ए (टीसी) |
4 वी |
20 वी |
110 डब्ल्यू |
110W (टीसी) |
FDP55N06 |
अर्धचालक पर |
- |
To-220-3 |
- |
60 ए (टीसी) |
- |
- |
- |
110W (टीसी) |
Stmicroelectronics सेमीकंडक्टर समाधानों में नेतृत्व करता है, सिलिकॉन और सिस्टम में गहरे ज्ञान का प्रदर्शन करता है।यह विशेषज्ञता उन्हें आधुनिक तकनीकी प्रगति के साथ गठबंधन करते हुए सिस्टम-ऑन-चिप (SOC) तकनीक को आगे बढ़ाने में आगे बढ़ती है।उनके सिलिकॉन प्रवीणता शिल्प उच्च-प्रदर्शन, ऊर्जा-कुशल समाधान विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए आवश्यक हैं।उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से औद्योगिक उपकरणों तक, ये समाधान कनेक्टेड प्रौद्योगिकियों के तेजी से विकास को चलाते हैं, जो होशियार, टिकाऊ नवाचारों के लिए प्यास को पूरा करते हैं।
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2024/10/30 पर
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