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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल2V7002KT1G
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2V7002KT1G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
2V7002KT1G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-2V7002KT1G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
2N/V7002K Datasheet.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 532350

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मात्रा

विशेष विवरण

2V7002KT1G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - 2V7002KT1G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - 2V7002KT1G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300mW (Tj)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 24.5 pF @ 20 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 0.7 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 320mA (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या 2V7002  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi 2V7002KT1G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
भाग संख्या 2V7002KT1G STP260N6F6 IRFZ44ZPBF AON2411
उत्पादक onsemi STMicroelectronics Infineon Technologies Alpha & Omega Semiconductor Inc.
आधार उत्पाद संख्या 2V7002 STP260 IRFZ44 AON24
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 0.7 nC @ 4.5 V 183 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-220-3 8-PowerWFDFN
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 320mA (Ta) 120A (Tc) 51A (Tc) 20A (Ta)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 24.5 pF @ 20 V 11400 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 2180 pF @ 6 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 900mV @ 250µA
शृंखला Automotive, AEC-Q101 DeepGATE™, STripFET™ VI HEXFET® -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 55 V 12 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6Ohm @ 500mA, 10V 3mOhm @ 60A, 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 8mOhm @ 12A, 4.5V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±8V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300mW (Tj) 300W (Tc) 80W (Tc) 5W (Ta)
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236) TO-220 TO-220AB 8-DFN (2x2)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V

2V7002KT1G डेटशीट पीडीएफ

2V7002KT1G - onsemi के लिए 2V7002KT1G PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
2N/V7002K Datasheet.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
SOT23 27/Sep/2016.pdf 2V7002KT1G 10/Jan/2023.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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2V7002KT1G

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