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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल2V7002WT1G
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2V7002WT1G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
2V7002WT1G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-2V7002WT1G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
SC-70, SOT-323
विवरण तालिका
2N7002W Datasheet.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 629650

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मात्रा

विशेष विवरण

2V7002WT1G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - 2V7002WT1G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - 2V7002WT1G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC-70-3 (SOT323)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 280mW (Tj)  
पैकेज / प्रकरण SC-70, SOT-323  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 24.5 pF @ 20 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 0.7 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 310mA (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या 2V7002  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi 2V7002WT1G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 2V7002WT1G FDD86381-F085 2V7002LT1G APT48M80L
भाग संख्या 2V7002WT1G FDD86381-F085 2V7002LT1G APT48M80L
उत्पादक onsemi onsemi onsemi Microchip Technology
शृंखला Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Automotive, AEC-Q101 -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 310mA (Ta) 25A (Tc) 115mA (Tc) 49A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 10V 5V, 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 0.7 nC @ 4.5 V 21 nC @ 10 V - 305 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 280mW (Tj) 48.4W (Tj) 225mW (Ta) 1135W (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 24.5 pF @ 20 V 866 pF @ 40 V 50 pF @ 25 V 9330 pF @ 25 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 2.5mA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.6Ohm @ 500mA, 10V 21mOhm @ 25A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 200mOhm @ 24A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या 2V7002 FDD86381 2V7002 APT48M80
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 80 V 60 V 800 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण SC-70, SOT-323 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-264-3, TO-264AA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC-70-3 (SOT323) TO-252AA SOT-23-3 (TO-236) TO-264 [L]

2V7002WT1G डेटशीट पीडीएफ

2V7002WT1G - onsemi के लिए 2V7002WT1G PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
2N7002W Datasheet.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
FPCN FET 9-29-22.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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2V7002WT1G

onsemi
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