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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलBVSS123LT1G
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BVSS123LT1G Image - 1
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BVSS123LT1G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
BVSS123LT1G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-BVSS123LT1G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 430950

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मात्रा

विशेष विवरण

BVSS123LT1G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - BVSS123LT1G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - BVSS123LT1G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.8V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6Ohm @ 100mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 20 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 170mA (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या BVSS123  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi BVSS123LT1G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
भाग संख्या BVSS123LT1G IXTP05N100 STE40NC60 TN0106N3-G-P003
उत्पादक onsemi IXYS STMicroelectronics Microchip Technology
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
आधार उत्पाद संख्या BVSS123 IXTP05 STE40 TN0106
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.8V @ 1mA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 500µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 6Ohm @ 100mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 130mOhm @ 20A, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236) TO-220-3 ISOTOP® TO-92-3
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225mW (Ta) 40W (Tc) 460W (Tc) 1W (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 20 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±30V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 1000 V 600 V 60 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
शृंखला Automotive, AEC-Q101 - PowerMESH™ II -
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 ISOTOP TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 170mA (Ta) 750mA (Tc) 40A (Tc) 350mA (Tj)

BVSS123LT1G डेटशीट पीडीएफ

BVSS123LT1G - onsemi के लिए BVSS123LT1G PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
BSS123LT1G, BVSS123LT1G.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
SOT23 27/Sep/2016.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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