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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलBVSS84LT1G
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BVSS84LT1G Image - 1
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BVSS84LT1G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
BVSS84LT1G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-BVSS84LT1G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
B(V)SS84L Datasheet.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 413350

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मात्रा

विशेष विवरण

BVSS84LT1G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - BVSS84LT1G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - BVSS84LT1G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10Ohm @ 100mA, 5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 36 pF @ 5 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 2.2 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 50 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 130mA (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या BVSS84  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi BVSS84LT1G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता BVSS84LT1G IRFS3207TRLPBF IRF3709ZS BVSS138LT1G
भाग संख्या BVSS84LT1G IRFS3207TRLPBF IRF3709ZS BVSS138LT1G
उत्पादक onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225mW (Ta) 300W (Tc) 79W (Tc) 225mW (Ta)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 2.2 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 26 nC @ 4.5 V -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
आधार उत्पाद संख्या BVSS84 IRFS3207 - BVSS138
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V 10V 4.5V, 10V 5V
शृंखला Automotive, AEC-Q101 HEXFET® HEXFET® -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 50 V 75 V 30 V 50 V
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 36 pF @ 5 V 7600 pF @ 50 V 2130 pF @ 15 V 50 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10Ohm @ 100mA, 5V 4.5mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.25V @ 250µA 1.5V @ 1mA
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236) D2PAK D2PAK SOT-23-3 (TO-236)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 130mA (Ta) 170A (Tc) 87A (Tc) 200mA (Ta)

BVSS84LT1G डेटशीट पीडीएफ

BVSS84LT1G - onsemi के लिए BVSS84LT1G PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
B(V)SS84L Datasheet.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
SOT23 27/Sep/2016.pdf Wire Replacement 10/Jan/2023.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Mold Compound 25/Apr/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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