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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCPF13N60NT
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FCPF13N60NT - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCPF13N60NT
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCPF13N60NT
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
FCP13N60N, FCPF13N60NT.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 21220

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मात्रा

विशेष विवरण

FCPF13N60NT तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCPF13N60NT तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCPF13N60NT के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3  
शृंखला SuperMOS™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 258mOhm @ 6.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 33.8W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1765 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 39.5 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 13A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCPF13  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCPF13N60NT के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCPF13N60NT FCPF16N60NT FCPF13N60NT FCPF150N65F
भाग संख्या FCPF13N60NT FCPF16N60NT FCPF13N60NT FCPF150N65F
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 33.8W (Tc) 35.7W (Tc) 33.8W (Tc) 39W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 39.5 nC @ 10 V 52.3 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1765 pF @ 100 V 2170 pF @ 100 V 1765 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V
आधार उत्पाद संख्या FCPF13 - - FCPF150
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 258mOhm @ 6.5A, 10V 199mOhm @ 8A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V
शृंखला SuperMOS™ SupreMOS™ SuperMOS™ -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 13A (Tc) 16A (Tc) 13A (Tc) 14.9A (Tc)
पैकेट Tube Bulk Bulk Tube
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 2.4mA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FCPF13N60NT डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
FCP13N60N, FCPF13N60NT.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mold Compound Change 25/Sep/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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