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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCPF11N60T
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FCPF11N60T - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCPF11N60T
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCPF11N60T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
FCP11N60, FCPF11N60.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 18471

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मात्रा

विशेष विवरण

FCPF11N60T तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCPF11N60T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCPF11N60T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3  
शृंखला SuperFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 36W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1490 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 52 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCPF11  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCPF11N60T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCPF11N60T FCPF13N60NT FCPF11N60 FCPF067N65S3
भाग संख्या FCPF11N60T FCPF13N60NT FCPF11N60 FCPF067N65S3
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET फ़ीचर - - - -
आधार उत्पाद संख्या FCPF11 FCPF13 FCPF11 FCPF067
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.5A, 10V 258mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc) 13A (Tc) 11A (Tc) 44A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
पैकेट Tube Tube Tube Tube
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 52 nC @ 10 V 39.5 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1490 pF @ 25 V 1765 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V 3090 pF @ 400 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 36W (Tc) 33.8W (Tc) 36W (Tc) 46W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शृंखला SuperFET™ SuperMOS™ SuperFET™ SuperFET® III
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA

FCPF11N60T डेटशीट पीडीएफ

FCPF11N60T - onsemi के लिए FCPF11N60T PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCP11N60, FCPF11N60.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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