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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCPF11N60
Fairchild Semiconductor
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FCPF11N60 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FCPF11N60
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FCPF11N60
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
FCPF11N60.pdf
तुलना
स्टॉक में: 22407

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विशेष विवरण

FCPF11N60 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FCPF11N60 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FCPF11N60 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3  
शृंखला SuperFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 36W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1490 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 52 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FCPF11N60 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCPF11N60 FCP9N60N FCPF11N60NT FCPF11N60T
भाग संख्या FCPF11N60 FCP9N60N FCPF11N60NT FCPF11N60T
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
पैकेट Bulk Tube Bulk Bulk
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5.5A, 10V 385mOhm @ 4.5A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1490 pF @ 25 V 1240 pF @ 100 V 1505 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc) 9A (Tc) 10.8A (Tc) 11A (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 52 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
शृंखला SuperFET™ SuperMOS™ SuperMOS™ SuperFET™
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3 TO-220-3 TO-220F-3 TO-220F
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 36W (Tc) 83.3W (Tc) 32.1W (Tc) 36W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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