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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDA16N50LDTU
onsemi
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FDA16N50LDTU - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDA16N50LDTU
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDA16N50LDTU
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
विवरण तालिका
FDA16N50LDTU.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FDA16N50LDTU तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDA16N50LDTU तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDA16N50LDTU के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PN (L-Forming)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 8.3A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1945 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 16.5A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDA16N50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDA16N50LDTU के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDA16N50LDTU FDA20N50-F109 FDA16N50LDTU FDA18N50
भाग संख्या FDA16N50LDTU FDA20N50-F109 FDA16N50LDTU FDA18N50
उत्पादक onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
पैकेट Tube Tube Bulk Bulk
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc) 280W (Tc) 205W (Tc) 239W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या FDA16N50 FDA20N50 - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 16.5A (Tc) 22A (Tc) 16.5A (Tc) 19A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
शृंखला - UniFET™ - UniFET™
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN

FDA16N50LDTU डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
FDA16N50LDTU.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

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यूरोप जर्मनी 5
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न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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