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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDA18N50
onsemi
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FDA18N50 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDA18N50
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDA18N50
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3
विवरण तालिका
FDA18N50.pdf
RoHs स्थिति
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स्टॉक में: 16011

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विशेष विवरण

FDA18N50 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDA18N50 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDA18N50 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PN  
शृंखला UniFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 265mOhm @ 9.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 239W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2860 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDA18  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDA18N50 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDA18N50 FDA16N50 FDA15N65 FDA20N50F
भाग संख्या FDA18N50 FDA16N50 FDA15N65 FDA20N50F
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19A (Tc) 16.5A (Tc) 16A (Tc) 22A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2860 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3095 pF @ 25 V 3390 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 265mOhm @ 9.5A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 440mOhm @ 8A, 10V 260mOhm @ 11A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या FDA18 - - FDA20N50
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 239W (Tc) 205W (Tc) 260W (Tc) 388W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 500 V 650 V 500 V
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
शृंखला UniFET™ UniFET™ UniFET™ FRFET®, UniFET™

FDA18N50 डेटशीट पीडीएफ

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पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
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न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
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1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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