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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDP032N08B-F102
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FDP032N08B-F102 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FDP032N08B-F102
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FDP032N08B-F102
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FDP032N08B_F102.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

FDP032N08B-F102 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FDP032N08B-F102 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FDP032N08B-F102 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.3mOhm @ 100A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 263W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 10965 pF @ 40 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 144 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 80 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FDP032  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FDP032N08B-F102 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDP032N08B-F102 FDP036N10A FDP030N06 FDP032N08
भाग संख्या FDP032N08B-F102 FDP036N10A FDP030N06 FDP032N08
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.6mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 10965 pF @ 40 V 7295 pF @ 25 V 9815 pF @ 25 V 15160 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 80 V 100 V 60 V 75 V
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 144 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या FDP032 FDP036 FDP030 FDP032
पैकेट Tube Tube Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 263W (Tc) 333W (Tc) 231W (Tc) 375W (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FDP032N08B-F102 डेटशीट पीडीएफ

FDP032N08B-F102 - onsemi के लिए FDP032N08B-F102 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FDP032N08B_F102.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN भाग संख्या
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer Fab Capacity Expansion 29/Oct/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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