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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFDP030N06
Fairchild Semiconductor
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FDP030N06 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FDP030N06
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FDP030N06
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FDP030N06.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

FDP030N06 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FDP030N06 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FDP030N06 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला PowerTrench®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.2mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 231W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9815 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 151 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FDP030N06 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FDP030N06 FDP032N08 FDP030N06 FDP032N08B-F102
भाग संख्या FDP030N06 FDP032N08 FDP030N06 FDP032N08B-F102
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 151 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 75 V 60 V 80 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 231W (Tc) 375W (Tc) 231W (Tc) 263W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9815 pF @ 25 V 15160 pF @ 25 V 9815 pF @ 25 V 10965 pF @ 40 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V
शृंखला PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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