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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQL40N50
onsemi
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FQL40N50 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQL40N50
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQL40N50
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
FQL40N50.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FQL40N50 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQL40N50 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQL40N50 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 200 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQL40  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQL40N50 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
भाग संख्या FQL40N50 HUFA75545P3 HUF75639S3 AO4728
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
पैकेट Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
आधार उत्पाद संख्या FQL40 - HUF75639 AO47
शृंखला QFET® UltraFET™ UltraFET™ SRFET™
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7500 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 4463 pF @ 15 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 80 V 100 V 30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc) 20A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc) 270W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta)
FET फ़ीचर - - - Schottky Diode (Body)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 200 nC @ 10 V 235 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 72 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264-3 TO-220-3 I2PAK (TO-262) 8-SOIC
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4.3mOhm @ 20A, 10V

FQL40N50 डेटशीट पीडीएफ

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पर्यावरण सूचना
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पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
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पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer Fab Location 30/Nov/2021.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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