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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQL40N50F
onsemi
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FQL40N50F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQL40N50F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQL40N50F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
FQL40N50F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 4530

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मात्रा

विशेष विवरण

FQL40N50F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQL40N50F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQL40N50F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264-3  
शृंखला FRFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 200 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQL40  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQL40N50F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
भाग संख्या FQL40N50F NTB082N65S3F STD95N4LF3 FDD13AN06A0-F085
उत्पादक onsemi onsemi STMicroelectronics onsemi
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 5V, 10V 6V, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc) 313W (Tc) 110W (Tc) 115W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc) 40A (Tc) 80A (Tc) 9.9A (Ta), 50A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 650 V 40 V 60 V
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264-3 D²PAK (TO-263) DPAK TO-252AA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 200 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 20A, 10V 82mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7500 pF @ 25 V 3410 pF @ 400 V 2500 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या FQL40 NTB082 STD95 FDD13AN06
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±16V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 4mA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
शृंखला FRFET® SuperFET® III STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FQL40N50F डेटशीट पीडीएफ

FQL40N50F - onsemi के लिए FQL40N50F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FQL40N50F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Assem/Material Chg 10/Oct/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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