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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75652G3
onsemi
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HUF75652G3 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
HUF75652G3
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75652G3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
HUF75652G3.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75652G3 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - HUF75652G3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - HUF75652G3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 515W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7585 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 475 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या HUF75652  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi HUF75652G3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75652G3 HUF75645S3ST HUF75829D3 HUF75645P3
भाग संख्या HUF75652G3 HUF75645S3ST HUF75829D3 HUF75645P3
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
आधार उत्पाद संख्या HUF75652 HUF75645 HUF75 HUF75645
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 75A (Tc) 18A (Tc) 75A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 D²PAK (TO-263) I-PAK TO-220-3
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 515W (Tc) 310W (Tc) 110W (Tc) 310W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 475 nC @ 20 V 238 nC @ 20 V 70 nC @ 20 V 238 nC @ 20 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 110mOhm @ 18A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 150 V 100 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7585 pF @ 25 V 3790 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 3790 pF @ 25 V

HUF75652G3 डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
HUF75652G3.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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