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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75829D3
onsemi
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HUF75829D3 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
HUF75829D3
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75829D3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
HUFA75829D3/D3S.pdf
तुलना
स्टॉक में: 4550

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75829D3 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - HUF75829D3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - HUF75829D3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज I-PAK  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 18A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1080 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या HUF75  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi HUF75829D3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75829D3 HUF75645S3S HUF75645P3 HUF75842P3
भाग संख्या HUF75829D3 HUF75645S3S HUF75645P3 HUF75842P3
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या HUF75 - - HUF75842
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 43A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 100 V 100 V 150 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 20 V 238 nC @ 20 V 238 nC @ 20 V 175 nC @ 20 V
पैकेट Tube Tube Bulk Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc) 230W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1080 pF @ 25 V 3790 pF @ 25 V 3790 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 18A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 42mOhm @ 43A, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज I-PAK D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220-3

HUF75829D3 डेटशीट पीडीएफ

HUF75829D3 - onsemi के लिए HUF75829D3 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
HUFA75829D3/D3S.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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