Name: onsemi NIF9N05CLT1G
Brand: onsemi
SKU: NIF9N05CLT1G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2.5V @ 100µA
वीजीएस (मैक्स)	±15V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	SOT-223 (TO-261)
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	125mOhm @ 2.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.69W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	TO-261-4, TO-261AA
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	250 pF @ 35 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	7 nC @ 4.5 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	3V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	59 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2.6A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	NIF9N05

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	NIF9N05CLT1G	SI8483DB-T2-E1	PSMN1R0-30YLC,115	FDU6296
उत्पादक	onsemi	Vishay Siliconix	Nexperia USA Inc.	Fairchild Semiconductor
शृंखला	-	TrenchFET®	-	PowerTrench®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2.6A (Ta)	16A (Tc)	100A (Tc)	15A (Ta), 50A (Tc)
FET प्रकार	N-Channel	P-Channel	N-Channel	N-Channel
वीजीएस (मैक्स)	±15V	±10V	±20V	±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2.5V @ 100µA	800mV @ 250µA	1.95V @ 1mA	3V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	59 V	12 V	30 V	30 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	7 nC @ 4.5 V	65 nC @ 10 V	103.5 nC @ 10 V	31.5 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
आधार उत्पाद संख्या	NIF9N05	SI8483	PSMN1R0	-
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
पैकेज / प्रकरण	TO-261-4, TO-261AA	6-UFBGA	SC-100, SOT-669	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	SOT-223 (TO-261)	6-Micro Foot™ (1.5x1)	LFPAK56, Power-SO8	I-PAK
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	250 pF @ 35 V	1840 pF @ 6 V	6645 pF @ 15 V	1440 pF @ 15 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	125mOhm @ 2.6A, 10V	26mOhm @ 1.5A, 4.5V	1.15mOhm @ 25A, 10V	8.8mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.69W (Ta)	2.77W (Ta), 13W (Tc)	272W (Tc)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	3V, 10V	1.5V, 4.5V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
FET फ़ीचर	-	-	-	-

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