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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP22N60N
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FCP22N60N - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP22N60N
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP22N60N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FCP(F)22N60N(T).pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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स्टॉक में: 15409

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मात्रा
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विशेष विवरण

FCP22N60N तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP22N60N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP22N60N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±45V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SupreMOS™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 11A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1950 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP22N60  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) Not Applicable
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP22N60N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP22N60N FCP260N60E FCP290N80 FCP21N60N
भाग संख्या FCP22N60N FCP260N60E FCP290N80 FCP21N60N
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.7mA -
पैकेट Tube Bulk Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला SupreMOS™ SuperFET® II SuperFET® II -
वीजीएस (मैक्स) ±45V ±20V ±20V -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc) 156W (Tc) 212W (Tc) -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1950 pF @ 100 V 2500 pF @ 25 V 3205 pF @ 100 V -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आधार उत्पाद संख्या FCP22N60 - FCP290 FCP21
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 11A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V -

FCP22N60N डेटशीट पीडीएफ

FCP22N60N - onsemi के लिए FCP22N60N PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FCP(F)22N60N(T).pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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