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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP22N60N
Fairchild Semiconductor
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FCP22N60N - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FCP22N60N
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FCP22N60N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP22N60N.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

FCP22N60N तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FCP22N60N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FCP22N60N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±45V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SupreMOS™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 11A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1950 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FCP22N60N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP22N60N FCP260N60E FCP190N65S3 FCP25N60N
भाग संख्या FCP22N60N FCP260N60E FCP190N65S3 FCP25N60N
उत्पादक Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.7mA 4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 11A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 125mOhm @ 12.5A, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
शृंखला SupreMOS™ SuperFET® II SuperFET® III SupreMOS™
पैकेट Bulk Bulk Tube Bulk
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 25A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±45V ±20V ±30V ±30V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 205W (Tc) 156W (Tc) 144W (Tc) 216W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1950 pF @ 100 V 2500 pF @ 25 V 1350 pF @ 400 V 3352 pF @ 100 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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