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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP220N80
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FCP220N80 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP220N80
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP220N80
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP220N80.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

FCP220N80 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP220N80 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP220N80 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 2.3mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 11.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 278W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4560 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 105 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 23A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP220  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP220N80 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP220N80 FCP21N60N FCP25N60N FCP190N65F
भाग संख्या FCP220N80 FCP21N60N FCP25N60N FCP190N65F
उत्पादक onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 2.3mA - 4V @ 250µA 5V @ 2mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 105 nC @ 10 V - 74 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V 600 V 600 V 650 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 278W (Tc) - 216W (Tc) 208W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4560 pF @ 100 V - 3352 pF @ 100 V 3225 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या FCP220 - FCP25 FCP190
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V - 10V 10V
पैकेट Tube Bulk Tube Bulk
वीजीएस (मैक्स) ±20V - ±30V ±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 23A (Tc) - 25A (Tc) 20.6A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 11.5A, 10V - 125mOhm @ 12.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
शृंखला SuperFET® II - SupreMOS™ FRFET®, SuperFET® II

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onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 30/Sep/2022.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mat 9-29-22.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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