Name: onsemi NTH4L040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L040N120SC1

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.3V @ 10mA
वीजीएस (मैक्स)	+25V, -15V
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247-4L
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	56mOhm @ 35A, 20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	319W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-4
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1762 pF @ 800 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	106 nC @ 20 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	1200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	58A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	NTH4L040

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	NTH4L040N120SC1	NTH4L040N65S3F	NTH4L080N120SC1	NTH5G16P35A331J07TH
उत्पादक	onsemi	onsemi	onsemi	Murata Power Solutions
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	106 nC @ 20 V	158 nC @ 10 V	56 nC @ 20 V	-
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.3V @ 10mA	5V @ 2.1mA	4.3V @ 5mA	-
शृंखला	-	FRFET®, SuperFET® III	-	-
वीजीएस (मैक्स)	+25V, -15V	±30V	+25V, -15V	-
पैकेट	Tube	Tube	Tube	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	56mOhm @ 35A, 20V	40mOhm @ 32.5A, 10V	110mOhm @ 20A, 20V	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-
आधार उत्पाद संख्या	NTH4L040	NTH4L040	NTH4L080	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1762 pF @ 800 V	5940 pF @ 400 V	1670 pF @ 800 V	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	20V	10V	20V	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247-4L	TO-247-4L	TO-247-4L	-
पैकेज / प्रकरण	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	-
FET फ़ीचर	-	-	-	-
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	1200 V	650 V	1200 V	-
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	319W (Tc)	446W (Tc)	170W (Tc)	-
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	58A (Tc)	65A (Tc)	29A (Tc)	-

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

NTH4L040N120SC1 - onsemi

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