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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNTH4L040N65S3F
onsemi
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NTH4L040N65S3F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NTH4L040N65S3F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NTH4L040N65S3F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-4
विवरण तालिका
NTH4L040N65S3F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

NTH4L040N65S3F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NTH4L040N65S3F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NTH4L040N65S3F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 2.1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-4L  
शृंखला FRFET®, SuperFET® III  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 40mOhm @ 32.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 446W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-4  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5940 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 158 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 65A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NTH4L040  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NTH4L040N65S3F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
भाग संख्या NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
उत्पादक onsemi onsemi onsemi Pulse Electronics
आधार उत्पाद संख्या NTH4L040 NTH4L080 NTH4L040 -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
पैकेट Tube Tube Tube -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 1200 V 1200 V -
पैकेज / प्रकरण TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4 -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 446W (Tc) 170W (Tc) 319W (Tc) -
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 20V 20V -
वीजीएस (मैक्स) ±30V +25V, -15V +25V, -15V -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 65A (Tc) 29A (Tc) 58A (Tc) -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 2.1mA 4.3V @ 5mA 4.3V @ 10mA -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-4L TO-247-4L TO-247-4L -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 158 nC @ 10 V 56 nC @ 20 V 106 nC @ 20 V -
शृंखला FRFET®, SuperFET® III - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5940 pF @ 400 V 1670 pF @ 800 V 1762 pF @ 800 V -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 40mOhm @ 32.5A, 10V 110mOhm @ 20A, 20V 56mOhm @ 35A, 20V -

NTH4L040N65S3F डेटशीट पीडीएफ

NTH4L040N65S3F - onsemi के लिए NTH4L040N65S3F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NTH4L040N65S3F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer Fab Change 17/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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