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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF Image
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IRF7343TRPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF7343TRPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF7343TRPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF7343TRPBF.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 74260

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF7343TRPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7343TRPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7343TRPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 50mOhm @ 4.7A, 10V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 740pF @ 25V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36nC @ 10V  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.7A, 3.4A  
विन्यास N and P-Channel  
आधार उत्पाद संख्या IRF734  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7343TRPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF7343TRPBF IRF7351PBF IRF7342TRPBF IRF7343QTRPBF
भाग संख्या IRF7343TRPBF IRF7351PBF IRF7342TRPBF IRF7343QTRPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 740pF @ 25V 1330pF @ 30V 690pF @ 25V 740pF @ 25V
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55V 60V 55V 55V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 50mOhm @ 4.7A, 10V 17.8mOhm @ 8A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
विन्यास N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36nC @ 10V 36nC @ 10V 38nC @ 10V 36nC @ 10V
FET फ़ीचर - Logic Level Gate Logic Level Gate -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 4V @ 50µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 4.7A, 3.4A 8A 3.4A 4.7A, 3.4A
आधार उत्पाद संख्या IRF734 IRF7351PBF IRF734 IRF734
पावर - मैक्स 2W 2W 2W 2W

IRF7343TRPBF डेटशीट पीडीएफ

IRF7343TRPBF - Infineon Technologies के लिए IRF7343TRPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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