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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़IRF7351PBF
IRF7351PBF Image
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IRF7351PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRF7351PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRF7351PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
IRF7351PBF.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 5260

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मात्रा
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विशेष विवरण

IRF7351PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRF7351PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRF7351PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 50µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 17.8mOhm @ 8A, 10V  
पावर - मैक्स 2W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1330pF @ 30V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A  
विन्यास 2 N-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या IRF7351PBF  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRF7351PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF7351PBF IRF7351TRPBF IRF7343TRPBF IRF7350TRPBF
भाग संख्या IRF7351PBF IRF7351TRPBF IRF7343TRPBF IRF7350TRPBF
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60V 60V 55V 100V
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A 8A 4.7A, 3.4A 2.1A, 1.5A
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 50µA 4V @ 50µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1330pF @ 30V 1330pF @ 30V 740pF @ 25V 380pF @ 25V
विन्यास 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
पावर - मैक्स 2W 2W 2W 2W
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 17.8mOhm @ 8A, 10V 17.8mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 210mOhm @ 2.1A, 10V
आधार उत्पाद संख्या IRF7351PBF IRF7351 IRF734 IRF7350
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36nC @ 10V 36nC @ 10V 36nC @ 10V 28nC @ 10V

IRF7351PBF डेटशीट पीडीएफ

IRF7351PBF - Infineon Technologies के लिए IRF7351PBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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    +00852 9146 4856

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