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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFP250MPBF
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IRFP250MPBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFP250MPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFP250MPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
IRFP250MPBF.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 31795

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मात्रा
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विशेष विवरण

IRFP250MPBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFP250MPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFP250MPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AC  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 18A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 214W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2159 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 123 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFP250  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFP250MPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFP250MPBF IRFP254PBF IRFP254NPBF IRFP244PBF
भाग संख्या IRFP250MPBF IRFP254PBF IRFP254NPBF IRFP244PBF
उत्पादक Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 123 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 214W (Tc) 190W (Tc) 220W (Tc) 150W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
शृंखला HEXFET® - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 18A, 10V 140mOhm @ 14A, 10V 125mOhm @ 14A, 10V 280mOhm @ 9A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 250 V 250 V 250 V
आधार उत्पाद संख्या IRFP250 IRFP254 IRFP254 IRFP244
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2159 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V 2040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 15A (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube

IRFP250MPBF डेटशीट पीडीएफ

IRFP250MPBF - Infineon Technologies के लिए IRFP250MPBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

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डिलीवरी का समय

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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भुगतान समर्थन

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