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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFP250
STMicroelectronics
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IRFP250 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
IRFP250
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-IRFP250
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
IRFP250.pdf
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विशेष विवरण

IRFP250 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - IRFP250 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - IRFP250 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला PowerMESH™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 16A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 180W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2850 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 158 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 33A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFP  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics IRFP250 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFP250 IRFP244PBF IRFP250PBF IRFP240
भाग संख्या IRFP250 IRFP244PBF IRFP250PBF IRFP240
उत्पादक STMicroelectronics Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-247AC TO-247AC TO-247AC
पैकेट Tube Tube Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 250 V 200 V 200 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 158 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2850 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला PowerMESH™ II - - -
आधार उत्पाद संख्या IRFP IRFP244 IRFP250 IRFP240
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 33A (Tc) 15A (Tc) 30A (Tc) 20A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 180W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 16A, 10V 280mOhm @ 9A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 180mOhm @ 12A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFP250 डेटशीट पीडीएफ

IRFP250 - STMicroelectronics के लिए IRFP250 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IRFP250.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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