Name: Diodes Incorporated DMG4N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4N60SJ3

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Diodes Incorporated
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-251
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.5Ohm @ 2A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	41W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	532 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	14.3 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	DMG4

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	DMG4N60SJ3	DMG4812SSS-13	DMG4N60SK3-13	DMG4N65CTI
उत्पादक	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	532 pF @ 25 V	1849 pF @ 15 V	532 pF @ 25 V	900 pF @ 25 V
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±12V	±30V	±30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)	8A (Ta)	3.7A (Tc)	4A (Tc)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेट	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
आधार उत्पाद संख्या	DMG4	DMG4812	DMG4	DMG4
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.5Ohm @ 2A, 10V	15mOhm @ 10.7A, 10V	2.3Ohm @ 2A, 10V	3Ohm @ 2A, 10V
शृंखला	-	-	-	-
पैकेज / प्रकरण	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-251	8-SO	TO-252-3	ITO-220AB
FET फ़ीचर	-	Schottky Diode (Body)	-	-
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	41W (Tc)	1.54W (Ta)	48W (Ta)	8.35W (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V	30 V	600 V	650 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	14.3 nC @ 10 V	18.5 nC @ 10 V	14.3 nC @ 10 V	13.5 nC @ 10 V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	4.5V, 10V	10V	10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.5V @ 250µA	2.3V @ 250µA	4.5V @ 250µA	5V @ 250µA
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)

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