Name: Diodes Incorporated DMG4N65CTI
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4N65CTI

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डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Diodes Incorporated
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	ITO-220AB
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3Ohm @ 2A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	8.35W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	900 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	13.5 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	DMG4

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	DMG4N65CTI	DMG4812SSS-13	DMG4N60SK3-13	DMG4N60SJ3
उत्पादक	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V	30 V	600 V	600 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	900 pF @ 25 V	1849 pF @ 15 V	532 pF @ 25 V	532 pF @ 25 V
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	13.5 nC @ 10 V	18.5 nC @ 10 V	14.3 nC @ 10 V	14.3 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA	2.3V @ 250µA	4.5V @ 250µA	4.5V @ 250µA
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3Ohm @ 2A, 10V	15mOhm @ 10.7A, 10V	2.3Ohm @ 2A, 10V	2.5Ohm @ 2A, 10V
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±12V	±30V	±30V
शृंखला	-	-	-	-
FET फ़ीचर	-	Schottky Diode (Body)	-	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4A (Tc)	8A (Ta)	3.7A (Tc)	3A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	DMG4	DMG4812	DMG4	DMG4
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	4.5V, 10V	10V	10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	ITO-220AB	8-SO	TO-252-3	TO-251
पैकेट	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	8.35W (Ta)	1.54W (Ta)	48W (Ta)	41W (Tc)

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