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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल2N7000BU
Fairchild Semiconductor
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2N7000BU - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
2N7000BU
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-2N7000BU
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
विवरण तालिका
2N7000BU.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

2N7000BU तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - 2N7000BU तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - 2N7000BU के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-92-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 5Ohm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 400mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 50 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 200mA (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor 2N7000BU के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 2N7000BU 2N7000 2N7000 2N7000-G
भाग संख्या 2N7000BU 2N7000 2N7000 2N7000-G
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi STMicroelectronics Microchip Technology
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 43 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 1W (Tc) 1W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शृंखला - - STripFET™ -
पैकेज / प्रकरण TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±18V ±30V
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bag
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 200mA (Tc) 200mA (Ta) 350mA (Tc) 200mA (Tj)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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