Name: Microchip Technology 2N7000-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 2N7000-G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microchip Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-92-3
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	5Ohm @ 500mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
पैकेट	Bag

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	60 pF @ 25 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Tj)
आधार उत्पाद संख्या	2N7000

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	2N7000-G	2N7000RLRAG	2N7000BU	2N7000
उत्पादक	Microchip Technology	onsemi	Fairchild Semiconductor	NTE Electronics, Inc
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Tj)	200mA (Ta)	200mA (Tc)	200mA (Ta)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	60 pF @ 25 V	60 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	60 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला	-	-	-	-
पैकेट	Bag	Tape & Reel (TR)	Bulk	Bag
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	5Ohm @ 500mA, 10V	5Ohm @ 500mA, 10V	5Ohm @ 500mA, 10V	5Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±20V	±20V	-
FET फ़ीचर	-	-	-	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
पैकेज / प्रकरण	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
आधार उत्पाद संख्या	2N7000	2N7000	-	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-92-3	TO-92 (TO-226)	TO-92-3	TO-92
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3V @ 1mA	3V @ 1mA	3V @ 1mA	3V @ 1mA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1W (Tc)	350mW (Tc)	400mW (Ta)	-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V	60 V	60 V	60 V

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2N7000-G - Microchip Technology

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