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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75344G3
Fairchild Semiconductor
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HUF75344G3 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
HUF75344G3
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75344G3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
HUF75344G3.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75344G3 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - HUF75344G3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - HUF75344G3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 285W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3200 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 210 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor HUF75344G3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75344G3 HUF75344P3 HUF75344A3 HUF75345P3
भाग संख्या HUF75344G3 HUF75344P3 HUF75344A3 HUF75345P3
उत्पादक Fairchild Semiconductor Harris Corporation Fairchild Semiconductor Harris Corporation
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 TO-220-3 TO-3P TO-220-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 210 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 208 nC @ 20 V 275 nC @ 20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3200 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 4855 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 285W (Tc) 285W (Tc) 288.5W (Tc) 325W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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