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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75343S3
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HUF75343S3 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
HUF75343S3
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75343S3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
HUF75343S3.pdf
तुलना
स्टॉक में: 42358

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75343S3 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - HUF75343S3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - HUF75343S3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज I2PAK (TO-262)  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 270W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 205 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या HUF75  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation HUF75343S3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75343S3 HUF75344G3 HUF75339G3 HUF75344A3
भाग संख्या HUF75343S3 HUF75344G3 HUF75339G3 HUF75344A3
उत्पादक Harris Corporation onsemi onsemi onsemi
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज I2PAK (TO-262) TO-247-3 TO-247-3 TO-3P
आधार उत्पाद संख्या HUF75 HUF75344 HUF75 HUF75
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 9mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3000 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 4855 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 205 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 208 nC @ 20 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 270W (Tc) 285W (Tc) 200W (Tc) 288.5W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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