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उत्तरी अमेरिका
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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFH86N30T
IXYS
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IXFH86N30T - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFH86N30T
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFH86N30T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
IXF(H,T)86N30T.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFH86N30T तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFH86N30T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFH86N30T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AD (IXFH)  
शृंखला HiPerFET™, Trench  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 43mOhm @ 43A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 860W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 11300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 300 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 86A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFH86  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFH86N30T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFH86N30T IXFH80N08 IXFH9N80 IXFH80N65X2
भाग संख्या IXFH86N30T IXFH80N08 IXFH9N80 IXFH80N65X2
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V
शृंखला HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 86A (Tc) 80A (Tc) 9A (Tc) 80A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 300 V 80 V 800 V 650 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 860W (Tc) 300W (Tc) 180W (Tc) 890W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 43mOhm @ 43A, 10V 9mOhm @ 40A, 10V 900mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 40A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 11300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 8245 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या IXFH86 IXFH80 IXFH9 IXFH80

IXFH86N30T डेटशीट पीडीएफ

IXFH86N30T - IXYS के लिए IXFH86N30T PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXF(H,T)86N30T.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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