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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFK100N10
IXYS
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IXFK100N10 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFK100N10
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFK100N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
IXFK100N10, IXFN150N10.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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विशेष विवरण

IXFK100N10 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFK100N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFK100N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 8mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264AA (IXFK)  
शृंखला HiPerFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 500W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 360 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFK100  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFK100N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFK100N10 IXFH96N15P IXFH8N80 IXFK110N07
भाग संख्या IXFK100N10 IXFH96N15P IXFH8N80 IXFK110N07
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 150 V 800 V 70 V
शृंखला HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100A (Tc) 96A (Tc) 8A (Tc) 110A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेट Tube Box Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 500W (Tc) 480W (Tc) 180W (Tc) 500W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12mOhm @ 75A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 1.1Ohm @ 4A, 10V 6mOhm @ 55A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4.5V @ 2.5mA 4V @ 8mA
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-264AA (IXFK) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-264AA (IXFK)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 360 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
आधार उत्पाद संख्या IXFK100 IXFH96 IXFH8 IXFK110

IXFK100N10 डेटशीट पीडीएफ

IXFK100N10 - IXYS के लिए IXFK100N10 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXFK100N10, IXFN150N10.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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