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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFP14N85X
IXYS
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IXFP14N85X - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFP14N85X
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFP14N85X
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IXFx14N85X, IXFA14N85XHV.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFP14N85X तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFP14N85X तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFP14N85X के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB (IXFP)  
शृंखला HiPerFET™, Ultra X  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1043 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 850 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFP14  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFP14N85X के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFP14N85X IXFP22N60P3 IXFP12N50P IXFP10N60P
भाग संख्या IXFP14N85X IXFP22N60P3 IXFP12N50P IXFP10N60P
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 1mA 5V @ 1.5mA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या IXFP14 IXFP22 IXFP12 IXFP10
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 460W (Tc) 500W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 500mA, 10V 360mOhm @ 11A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V 740mOhm @ 5A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1043 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 1830 pF @ 25 V 1610 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 850 V 600 V 500 V 600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 22A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
शृंखला HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB (IXFP) TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IXFP14N85X डेटशीट पीडीएफ

IXFP14N85X - IXYS के लिए IXFP14N85X PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXFx14N85X, IXFA14N85XHV.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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