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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFP14N85XM
IXYS
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IXFP14N85XM - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFP14N85XM
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFP14N85XM
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
IXFP14N85XM.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

IXFP14N85XM तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFP14N85XM तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFP14N85XM के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220  
शृंखला HiPerFET™, Polar  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 38W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1043 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 850 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFP14  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFP14N85XM के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFP14N85XM IXFP18N60X IXFP12N65X2M IXFP20N85X
भाग संख्या IXFP14N85XM IXFP18N60X IXFP12N65X2M IXFP20N85X
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1043 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 1134 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220 TO-220-3 TO-220 Isolated Tab TO-220-3
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3
आधार उत्पाद संख्या IXFP14 IXFP18 IXFP12 IXFP20
पैकेट Tube Tube Tube Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 850 V 600 V 650 V 850 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 38W (Tc) 320W (Tc) 40W (Tc) 540W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 18A (Tc) 12A (Tc) 20A (Tc)
शृंखला HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 7A, 10V 230mOhm @ 9A, 10V 310mOhm @ 6A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 1mA 4.5V @ 1.5mA 5V @ 250µA 5.5V @ 2.5mA

IXFP14N85XM डेटशीट पीडीएफ

IXFP14N85XM - IXYS के लिए IXFP14N85XM PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXFP14N85XM.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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