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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTB30N100L
IXYS
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IXTB30N100L - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTB30N100L
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTB30N100L
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
IXTB30N100L.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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विशेष विवरण

IXTB30N100L तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTB30N100L तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTB30N100L के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™  
शृंखला Linear  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 450mOhm @ 500mA, 20V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 13200 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 545 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTB30  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTB30N100L के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTB30N100L IXTB62N50L IXTA76N075T IXTH102N20T
भाग संख्या IXTB30N100L IXTB62N50L IXTA76N075T IXTH102N20T
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
शृंखला Linear Linear TrenchMV™ Trench
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 450mOhm @ 500mA, 20V 100mOhm @ 31A, 20V 12mOhm @ 25A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 500 V 75 V 200 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±30V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 50µA 4.5V @ 1mA
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800W (Tc) 800W (Tc) 176W (Tc) 750W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc) 62A (Tc) 76A (Tc) 102A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या IXTB30 IXTB62 IXTA76 IXTH102
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 545 nC @ 20 V 550 nC @ 20 V 57 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 13200 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA TO-247 (IXTH)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V 20V 10V 10V

IXTB30N100L डेटशीट पीडीएफ

IXTB30N100L - IXYS के लिए IXTB30N100L PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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