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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTB62N50L
IXYS
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IXTB62N50L - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTB62N50L
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTB62N50L
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
IXTB62N50L.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXTB62N50L तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTB62N50L तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTB62N50L के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™  
शृंखला Linear  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 100mOhm @ 31A, 20V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 11500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 550 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 62A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTB62  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTB62N50L के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTB62N50L IXTA80N10T IXTA86N20T IXTH04N300P3HV
भाग संख्या IXTB62N50L IXTA80N10T IXTA86N20T IXTH04N300P3HV
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 100 V 200 V 3000 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 Variant
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 100mOhm @ 31A, 20V 14mOhm @ 25A, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 190Ohm @ 200mA, 10V
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 11500 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 283 pF @ 25 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V 10V 10V 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800W (Tc) 230W (Tc) 480W (Tc) 104W (Tc)
शृंखला Linear Trench Trench Polar P3™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 62A (Tc) 80A (Tc) 86A (Tc) 400mA (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±20V
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™ TO-263AA TO-263AA TO-247HV
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 550 nC @ 20 V 60 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 1mA 4V @ 250µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या IXTB62 IXTA80 IXTA86 IXTH04

IXTB62N50L डेटशीट पीडीएफ

IXTB62N50L - IXYS के लिए IXTB62N50L PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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