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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलDN3135K1-G
Microchip Technology
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DN3135K1-G - Microchip Technology

उत्पादक भाग संख्या
DN3135K1-G
उत्पादक
Microchip Technology
Allelco भाग संख्या
32D-DN3135K1-G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
DN3135K1-G.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 57780

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मात्रा

विशेष विवरण

DN3135K1-G तकनीकी विनिर्देश
Microchip Technology - DN3135K1-G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microchip Technology - DN3135K1-G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microchip Technology  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र -  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 35Ohm @ 150mA, 0V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 120 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर Depletion Mode  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 0V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 72mA (Tj)  
आधार उत्पाद संख्या DN3135  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microchip Technology DN3135K1-G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता DN3135K1-G DN3545N3-G DN3535N8-G DN3545N8-G
भाग संख्या DN3135K1-G DN3545N3-G DN3535N8-G DN3545N8-G
उत्पादक Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360mW (Ta) 740mW (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-243AA
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला - - - -
FET फ़ीचर Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V 450 V 350 V 450 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या DN3135 DN3545 DN3535 DN3545
पैकेट Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 72mA (Tj) 136mA (Ta) 230mA (Tj) 200mA (Ta)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 120 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 35Ohm @ 150mA, 0V 20Ohm @ 150mA, 0V 10Ohm @ 150mA, 0V 20Ohm @ 150mA, 0V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 TO-92 (TO-226) TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 0V 0V 0V 0V

DN3135K1-G डेटशीट पीडीएफ

DN3135K1-G - Microchip Technology के लिए DN3135K1-G PDF DataSheets और Microchip Technology प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
DN3135 11/Apr/2017.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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