Name: Microchip Technology DN3525N8-G
Brand: Microchip Technology
SKU: DN3525N8-G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microchip Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-243AA (SOT-89)
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6Ohm @ 200mA, 0V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.6W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	TO-243AA
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	350 pF @ 25 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	Depletion Mode
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	0V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	360mA (Tj)
आधार उत्पाद संख्या	DN3525

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	DN3525N8-G	STP77N6F6	FCD3400N80Z	DN3145N8-G
उत्पादक	Microchip Technology	STMicroelectronics	onsemi	Microchip Technology
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-	4V @ 250µA	4.5V @ 200µA	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	360mA (Tj)	77A (Tc)	2A (Tc)	100mA (Tj)
FET फ़ीचर	Depletion Mode	-	-	Depletion Mode
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.6W (Ta)	80W (Tc)	32W (Tc)	1.3W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	TO-243AA	TO-220-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-243AA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	250 V	60 V	800 V	450 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6Ohm @ 200mA, 0V	7mOhm @ 38.5A, 10V	3.4Ohm @ 1A, 10V	60Ohm @ 100mA, 0V
शृंखला	-	DeepGATE™, STripFET™ VI	SuperFET® II	-
आधार उत्पाद संख्या	DN3525	STP77N	FCD3400	DN3145
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-243AA (SOT-89)	TO-220	TO-252AA	TO-243AA (SOT-89)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	350 pF @ 25 V	5300 pF @ 25 V	400 pF @ 100 V	120 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	0V	10V	10V	0V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V

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