Name: Microchip Technology LND01K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND01K1-G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microchip Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-
वीजीएस (मैक्स)	+0.6V, -12V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	SOT-23-5
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.4Ohm @ 100mA, 0V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	360mW (Ta)
पैकेज / प्रकरण	SC-74A, SOT-753
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-25°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	46 pF @ 5 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	Depletion Mode
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	0V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	9 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	330mA (Tj)
आधार उत्पाद संख्या	LND01

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	LND01K1-G	STP75NF75	IXFX150N15	IXFA22N65X2
उत्पादक	Microchip Technology	STMicroelectronics	IXYS	IXYS
आधार उत्पाद संख्या	LND01	STP75	IXFX150	IXFA22
प्रदायक डिवाइस पैकेज	SOT-23-5	TO-220	PLUS247™-3	TO-263HV
वीजीएस (मैक्स)	+0.6V, -12V	±20V	±20V	±30V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Through Hole	Through Hole	Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.4Ohm @ 100mA, 0V	11mOhm @ 40A, 10V	12.5mOhm @ 75A, 10V	160mOhm @ 11A, 10V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube	Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	330mA (Tj)	80A (Tc)	150A (Tc)	22A (Tc)
पैकेज / प्रकरण	SC-74A, SOT-753	TO-220-3	TO-247-3 Variant	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान	-25°C ~ 125°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	0V	10V	10V	10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	360mW (Ta)	300W (Tc)	560W (Tc)	390W (Tc)
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	-	4V @ 250µA	4V @ 8mA	5.5V @ 1.5mA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	9 V	75 V	150 V	650 V
शृंखला	-	STripFET™ II	HiPerFET™	HiPerFET™, Ultra X2
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	46 pF @ 5 V	3700 pF @ 25 V	9100 pF @ 25 V	2310 pF @ 25 V
FET फ़ीचर	Depletion Mode	-	-	-

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