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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFX150N15
IXFX150N15 Image
IXFX150N15 Image - 1
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IXFX150N15 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFX150N15
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFX150N15
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3 Variant
विवरण तालिका
IXF(K,X)150N15.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 2703

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मात्रा

विशेष विवरण

IXFX150N15 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFX150N15 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFX150N15 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 8mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS247™-3  
शृंखला HiPerFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12.5mOhm @ 75A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 560W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 Variant  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9100 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 360 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 150A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFX150  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFX150N15 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFX150N15 IXFX120N25 IXFX14N100 IXFX150N30P3
भाग संख्या IXFX150N15 IXFX120N25 IXFX14N100 IXFX150N30P3
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12.5mOhm @ 75A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 19mOhm @ 75A, 10V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या IXFX150 IXFX120 IXFX14 IXFX150
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA
पैकेट Tube Tube Tube Tube
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 360 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 250 V 1000 V 300 V
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 560W (Tc) 560W (Tc) 360W (Tc) 1300W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 150A (Tc) 120A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 9100 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 12100 pF @ 25 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXFX150N15 डेटशीट पीडीएफ

IXFX150N15 - IXYS के लिए IXFX150N15 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXF(K,X)150N15.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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