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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFV22N50P
IXYS
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IXFV22N50P - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFV22N50P
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFV22N50P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3, Short Tab
विवरण तालिका
IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFV22N50P तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFV22N50P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFV22N50P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 2.5mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS220  
शृंखला HiPerFET™, PolarHT™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 270mOhm @ 11A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 350W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3, Short Tab  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2630 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 50 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFV22  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFV22N50P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFV22N50P IXFT44N50P IXFX150N30P3 IXFX150N15
भाग संख्या IXFV22N50P IXFT44N50P IXFX150N30P3 IXFX150N15
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 2.5mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 270mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 19mOhm @ 75A, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V
शृंखला HiPerFET™, PolarHT™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 500 V 300 V 150 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2630 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 12100 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या IXFV22 IXFT44 IXFX150 IXFX150
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS220 TO-268AA PLUS247™-3 PLUS247™-3
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 350W (Tc) 658W (Tc) 1300W (Tc) 560W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 50 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±20V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3, Short Tab TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc) 44A (Tc) 150A (Tc) 150A (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

IXFV22N50P डेटशीट पीडीएफ

IXFV22N50P - IXYS के लिए IXFV22N50P PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 16/Dec/2013.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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