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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFX15N100
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IXFX15N100 Image - 1
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IXFX15N100 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFX15N100
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFX15N100
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3 Variant
विवरण तालिका
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFX15N100 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFX15N100 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFX15N100 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS247™-3  
शृंखला HiPerFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 700mOhm @ 7.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 Variant  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 220 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFX15  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFX15N100 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFX15N100 IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX120N65X2
भाग संख्या IXFX15N100 IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX120N65X2
उत्पादक IXYS IXYS IXYS RF IXYS
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 220 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 160nC @ 10V 225 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 100 V 1000V 650 V
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360W (Tc) 830W (Tc) 500W (Tc) 1250W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 Variant
आधार उत्पाद संख्या IXFX15 IXFX200 - IXFX120
शृंखला HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerRF™ HiPerFET™, Ultra X2
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
पैकेट Tube Tube - Tube
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4500 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 5500pF @ 25V 15500 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc) 200A (Tc) 21A (Tc) 120A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 700mOhm @ 7.5A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 500 mOhm @ 10.5A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFX15N100 डेटशीट पीडीएफ

IXFX15N100 - IXYS के लिए IXFX15N100 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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