Name: Microchip Technology TN5325N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TN5325N3-G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microchip Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-92-3
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7Ohm @ 1A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	740mW (Ta)
पैकेज / प्रकरण	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
पैकेट	Bag

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	110 pF @ 25 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	215mA (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	TN5325

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	TN5325N3-G	TN5325K1-G	TN5335N8-G	TN5335K1-G
उत्पादक	Microchip Technology	Microchip Technology	Microchip Technology	Microchip Technology
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
शृंखला	-	-	-	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	215mA (Ta)	150mA (Ta)	230mA (Tj)	110mA (Tj)
परिचालन तापमान	-	-55°C ~ 150°C (TA)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	740mW (Ta)	360mW (Ta)	1.6W (Ta)	360mW (Ta)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2V @ 1mA	2V @ 1mA	2V @ 1mA	2V @ 1mA
पैकेट	Bag	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	250 V	250 V	350 V	350 V
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	110 pF @ 25 V	110 pF @ 25 V	110 pF @ 25 V	110 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	7Ohm @ 1A, 10V	7Ohm @ 1A, 10V	15Ohm @ 200mA, 10V	15Ohm @ 200mA, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	3V, 10V	3V, 10V
आधार उत्पाद संख्या	TN5325	TN5325	TN5335	TN5335
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
पैकेज / प्रकरण	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-243AA	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-92-3	TO-236AB (SOT23)	TO-243AA (SOT-89)	SOT-23 (TO-236AB)
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)

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