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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलTN5335K1-G
Microchip Technology
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TN5335K1-G - Microchip Technology

उत्पादक भाग संख्या
TN5335K1-G
उत्पादक
Microchip Technology
Allelco भाग संख्या
32D-TN5335K1-G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
TN5335K1-G.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 54240

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मात्रा

विशेष विवरण

TN5335K1-G तकनीकी विनिर्देश
Microchip Technology - TN5335K1-G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microchip Technology - TN5335K1-G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microchip Technology  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23 (TO-236AB)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 15Ohm @ 200mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 110 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 3V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 110mA (Tj)  
आधार उत्पाद संख्या TN5335  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microchip Technology TN5335K1-G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता TN5335K1-G TN5325N3-G TN5325K1-G TN5325N8-G
भाग संख्या TN5335K1-G TN5325N3-G TN5325K1-G TN5325N8-G
उत्पादक Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 3V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 110mA (Tj) 215mA (Ta) 150mA (Ta) 316mA (Tj)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TA) -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V 110 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला - - - -
पैकेट Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 360mW (Ta) 740mW (Ta) 360mW (Ta) 1.6W (Ta)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23 (TO-236AB) TO-92-3 TO-236AB (SOT23) TO-243AA (SOT-89)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 15Ohm @ 200mA, 10V 7Ohm @ 1A, 10V 7Ohm @ 1A, 10V 7Ohm @ 1A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
आधार उत्पाद संख्या TN5335 TN5325 TN5325 TN5325
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V 250 V 250 V 250 V
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

TN5335K1-G डेटशीट पीडीएफ

TN5335K1-G - Microchip Technology के लिए TN5335K1-G PDF DataSheets और Microchip Technology प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
TN5335 03/Sep/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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